AM29LV128MH113RPCI [AMD]
128 Megabit (8 M x 16-Bit/16 M x 8-Bit) MirrorBita?￠ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control; 128兆位（8M ×16位/ 16的M× 8位） MirrorBita ?? ￠ 3.0伏只統一部門快閃記憶體與VersatileI / O控制
| 元器件型號： | AM29LV128MH113RPCI |
| 生產廠家： | 
ADVANCED MICRO DEVICES
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| 描述和應用： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit/16 M x 8-Bit) MirrorBita?￠ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control |
| PDF文件： | 總65頁 (文件大?。?231K) |
| 下載文檔： | 下載PDF數據表文檔文件 |
| 型號參數：AM29LV128MH113RPCI參數 | |
| 是否Rohs認證 | 不符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 零件包裝代碼 | BGA |
| 包裝說明 | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-64 |
| 針數 | 64 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代碼 | 3A991.B.1.A |
| HTS代碼 | 8542.32.00.51 |
| 風險等級 | 5.19 |
| 最長訪問時間 | 110 ns |
| 備用內存寬度 | 8 |
| 命令用戶界面 | YES |
| 通用閃存接口 | YES |
| 數據輪詢 | YES |
| JESD-30 代碼 | R-PBGA-B64 |
| JESD-609代碼 | e0 |
| 長度 | 13 mm |
| 內存密度 | 134217728 bit |
| 內存集成電路類型 | FLASH |
| 內存寬度 | 16 |
| 功能數量 | 1 |
| 部門數/規模 | 256 |
| 端子數量 | 64 |
| 字數 | 8388608 words |
| 字數代碼 | 8000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作溫度 | 85 °C |
| 最低工作溫度 | -40 °C |
| 組織 | 8MX16 |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝代碼 | LBGA |
| 封裝等效代碼 | BGA64,8X8,40 |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 頁面大小 | 4/8 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 電源 | 1.8/3.3,3.3 V |
| 編程電壓 | 3 V |
| 認證狀態 | Not Qualified |
| 就緒/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 部門規模 | 64K |
| 最大待機電流 | 0.000005 A |
| 子類別 | Flash Memories |
| 最大壓擺率 | 0.08 mA |
| 最大供電電壓 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供電電壓 (Vsup) | 3 V |
| 標稱供電電壓 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面貼裝 | YES |
| 技術 | CMOS |
| 溫度等級 | INDUSTRIAL |
| 端子面層 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子節距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 切換位 | YES |
| 類型 | NOR TYPE |
| 寬度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |