SMCJ5629AE3/TR13 [MICROSEMI]
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2;
| 元器件型號： | SMCJ5629AE3/TR13 |
| 生產廠家： | 
MICROSEMI CORPORATION
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| 描述和應用： | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 局域網 光電二極管 |
| PDF文件： | 總3頁 (文件大?。?14K) |
| 下載文檔： | 下載PDF數據表文檔文件 |
| 型號參數：SMCJ5629AE3/TR13參數 | |
| 是否Rohs認證 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 零件包裝代碼 | DO-214AB |
| 包裝說明 | R-PDSO-C2 |
| 針數 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| HTS代碼 | 8541.10.00.50 |
| 風險等級 | 5.78 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最大擊穿電壓 | 7.14 V |
| 最小擊穿電壓 | 6.45 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二極管元件材料 | SILICON |
| 二極管類型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代碼 | DO-214AB |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代碼 | e3 |
| 最大非重復峰值反向功率耗散 | 1500 W |
| 元件數量 | 1 |
| 端子數量 | 2 |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 極性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 認證狀態 | Not Qualified |
| 最大重復峰值反向電壓 | 5.8 V |
| 表面貼裝 | YES |
| 技術 | AVALANCHE |
| 端子面層 | MATTE TIN |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | 40 |
| Base Number Matches | 1 |